次世代パワー半導体の熱マネジメントを支える熱設計・放熱基板・界面熱抵抗評価およびパワーデバイス技術の最新動向
★2026年9月8日WEBでオンライン開講。足利大学 西氏、株式会社Niterra Materials 那波氏、名古屋大学 藤田氏、三菱電機株式会社 増岡氏 / 阪口氏が、【次世代パワー半導体の熱マネジメントを支える熱設計・放熱基板・界面熱抵抗評価およびパワーデバイス技術の最新動向】について解説する講座です。
■注目ポイント
★パワー半導体の発熱メカニズムと熱設計・温度予測の基礎から、窒化ケイ素放熱基板のPCU応用、界面熱抵抗・接合欠陥の非接触・非破壊計測、さらにIGBT・Diode・RC-IGBTの低損失化・高信頼化・放熱性向上に向けた最新技術までを一挙に解説！
- 第1部 足利大学 工学部創生工学科電気電子分野／教授 西 剛伺 氏
- 第2部 株式会社Niterra Materials 営業管理課 那波 隆之 氏
- 第3部 名古屋大学 工学研究科機械システム工学専攻 藤田 涼平 氏
- 第4部 三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所 開発部 Siデバイス開発G 増岡 史仁 氏 / 阪口 浩介 氏
【1名の場合】66,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、22,000円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき22,000円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は22,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況
★電動車（xEV）や再生可能エネルギー機器の普及、SiCをはじめとする次世代パワー半導体の高性能化に伴い、発熱対策と熱マネジメントはデバイスの高効率化・高信頼化を左右する重要課題となっています。
★こうした背景から、パワー半導体の熱設計、放熱基板・セラミックス材料、高精度な熱評価・界面熱抵抗測定、さらにはデバイス自体の低損失化技術までを一体的に理解し、最適化することの重要性がますます高まっています。
★本講習会では、熱設計の基礎から放熱材料・評価技術・最新Siパワーデバイス技術までを体系的に学び、次世代パワーモジュールの高性能化・高信頼化に向けた最新技術動向と実践的な知見を俯瞰します。
■注目ポイント
★xEV・SiCパワーモジュールで注目される窒化ケイ素基板の放熱性・信頼性とPCUへの応用、さらに放熱基板の界面熱抵抗・接合欠陥を非接触・非破壊で可視化する最新計測技術を紹介！
★三菱電機の開発・量産事例をもとに、IGBT・Diode・RC-IGBTの損失・発熱メカニズムと、低損失化・高耐圧化・高信頼化・放熱性向上を実現する最新デバイス技術を詳説！
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 パワー半導体の発熱メカニズムおよび熱設計
【時間】 10:30-12:00
【講師】足利大学 工学部創生工学科電気電子分野／教授 西 剛伺 氏
【講演主旨】
近年では、電源回路、モータ駆動回路を中心に、パワー半導体の熱設計が重要になってきている。本セミナーでは、これらの半導体の構造や発熱メカニズムから、伝熱経路、温度予測手法や伝熱経路のボトルネック把握手法等について解説する。
【プログラム】
1.パワー半導体の熱設計基礎
1.1 伝熱の基礎
1.2 熱抵抗の考え方
2.半導体パッケージの構造と発熱メカニズム
2.1 パワー半導体の発熱メカニズム
2.2 ディスクリート（個別）半導体パッケージの構造
2.3 パワーモジュールの構造
3.半導体の伝熱経路と主な放熱機構
3.1 半導体パッケージの伝熱経路
3.2 主な放熱機構
3.2.1 ヒートスプレッダ、自然空冷ヒートシンク
3.2.2 ファン付きヒートシンク
3.2.3 リモートヒートエクスチェンジャ
3.2.4 水冷モジュール等
4.半導体の温度予測、伝熱経路の把握
4.1 半導体の3次元熱シミュレーション
4.2 熱回路網を用いた温度予測
4.3 熱回路網を用いた熱シミュレーション結果の整理
4.3.1 1次元熱回路網による伝熱経路のブレークダウン
4.3.2 構造関数/熱インピーダンス分布による伝熱経路の把握
【質疑応答】
【キーワード】
熱設計、熱抵抗、高放熱、パワーエレクトロニクス、スイッチング動作
【習得できる知識】
・パワー半導体の熱設計に関する基礎知識
・パワー半導体パッケージの構成と熱の流れ
・半導体の熱シミュレーションのしくみ、考え方
・熱回路網を用いた温度予測
・熱回路網を用いた伝熱経路の把握手法
【第2講】 パワーモジュール向け窒化ケイ素セラミックス基板の技術動向とその応用
【時間】 13:00-14:30
【講師】株式会社Niterra Materials 営業管理課 那波 隆之 氏
【講演主旨】
電気自動車（BEV・HEV；xEV）の普及や次世代半導体（SiC）の採用拡大に伴い、パワーコントロールユニット（PCU）にはこれまで以上の「高い信頼性」と「効率的な放熱」が求められている。
本セミナーでは、その鍵を握る素材として注目を集める「窒化ケイ素基板」を中心に、各種セラミックス基板材料の特徴や基本特性をわかりやすく解説します。さらに、実際のPCUへの応用事例や、最新の技術動向まで網羅して紹介する。
【プログラム】
1. パワーモジュール向けセラミックス基板の概要
1.1 セラミックス基板への要求特性
1.2 分野別材質適用動向
1.3 各種セラミックス回路基板の種類と特徴
1.4 各種セラミックス回路基板の応用経緯
1.5 熱伝導特性向上について
2. 窒化ケイ素基板の主要特性
2.1 放熱性
2.2 電気的特性
2.3 機械的強度特性
2.4 その他
3. 窒化ケイ素基板の応用事例と将来展望
3.1 パワーモジュールの基本断面構造
3.2 PCUへの応用
3.3 新構造への適用
3.4 将来展望
4. まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
窒化ケイ素基板、絶縁、放熱、パワーモジュール、xEV
【講演のポイント】
セラミックス銅回路基板技術からパワーモジュール実装技術に携わった経験をもとに、単なる基礎知識の解説にとどまらず、基板市場動向や、実際のEV用PCUへの応用事例や最新トレンドまで網羅して紹介する。
【習得できる知識】
• xEV等向けパワーモジュール用セラミックス材料の基礎知識
• 注目が集まる「窒化ケイ素基板」の特徴と基本特性
• 実際のPCUへの応用事例と最新の技術動向
【第3講】 ロックインサーモグラフィ式レーザー周期加熱法による パワー半導体用放熱基板の界面熱抵抗測定
【時間】 14:40-15:25
【講師】名古屋大学 工学研究科機械システム工学専攻 藤田 涼平 氏
【講演主旨】
近年、パワー半導体やロジック半導体の高性能化・高集積化に伴い、放熱設計の重要性はますます高まっている。特に、接合界面における界面熱抵抗は、デバイスの温度上昇や信頼性に大きく影響するため、高精度な計測技術が求められている。本講座では、名古屋大学で開発されたロックインサーモグラフィ式レーザー周期加熱法を用いた界面熱抵抗測定技術について、測定原理から解析方法まで体系的に解説する。さらに、DBC基板をはじめとするパワー半導体用絶縁放熱基板への適用事例を紹介し、従来手法との違い、本手法による非接触・非破壊での熱物性マッピング評価の特徴、および研究開発や品質評価への活用可能性について解説することで、最新の計測技術に対する理解を深めることを目的とする。
【プログラム】
1．パワー半導体モジュールの放熱設計と計測技術の課題
1.1 パワー半導体モジュールの放熱構造
1.2 従来の計測技術とその課題
2．ロックインサーモグラフィ式レーザー周期加熱法とその応用
2.1 測定原理
2.2 熱物性分布計測・界面熱抵抗の計測方法
2.3 放熱材料への適用事例
3．パワー半導体用絶縁放熱基板の界面熱抵抗測定
3.1 DBC基板への応用
3.2 接合欠陥評価への応用
4．国際標準化について
【質疑応答】
【キーワード】
パワー半導体，絶縁放熱基板，DBC基板，界面熱抵抗，ロックインサーモグラフィ，周期加熱法，熱拡散率，熱物性評価，非接触・非破壊計測，国際標準化
【講演のポイント】
講演者は名古屋大学工学研究科長野研究室の特任講師として、ロックインサーモグラフィ式レーザー周期加熱法の研究開発に従事している。また、名古屋大学発ベンチャー株式会社ThermieLの代表として本技術の社会実装を推進するとともに、ISO/TC206における国際標準化活動にも携わっており、研究開発から産業応用まで幅広い知見を有する。
【習得できる知識】
● パワー半導体における熱マネジメントの課題
● 最新の熱物性・熱抵抗計測手法
● ロックインサーモグラフィ式レーザー周期加熱法の測定原理
● 熱物性マッピング・界面熱抵抗の解析方法
● 放熱基板への適用事例
【第4講】 脱炭素社会をささえる次世代Siパワーデバイス技術 ― IGBT／Diode／RC-IGBTの高性能化動向 ―
【時間】 15:35-16:50
【講師】三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所 開発部 Siデバイス開発G 増岡 史仁 氏 / 阪口 浩介 氏
【講演主旨】
2050年カーボンニュートラル社会の実現に向け、電力変換機器の高効率化・小型化・高信頼化が重要となっている。本講演では、パワーデバイスを専門としない方にも理解しやすいよう、Siパワーデバイスの基本動作を概説する。そのうえで、Si-IGBT、Diode、RC-IGBTの低損失化、高耐圧化、高信頼化に向けた最新開発事例を解説する。放熱・実装・基板材料に携わる方にとっても、デバイス側でどのように発熱を抑え、熱的課題に対応しているかをより深く理解する一助とする。
【プログラム】
1. パワーデバイスの基本動作と損失・発熱の考え方
2. 三菱電機のSiパワーデバイスの変遷
3. 再エネ向け第８世代IGBT・Diode技術
3.1 スプリットゲート構造によるゲート容量最適化技術
3.2 新しいバッファ層技術 (CPL技術)
4. 電力・電鉄向けIGBT・Diode技術
4.1 シャローアクティブトレンチ構造によるゲート容量最適化技術
4.2 耐環境性能を実現する終端構造
5. 民生・車載向け第3世代RC-IGBT技術
5.1 RC-IGBTチップ内ダイオード配置技術による放熱性向上
5.2 RC-IGBT用低キャリア注入ダイオード構造によるリカバリ損失低減
【質疑応答】
【キーワード】
パワー半導体、Siパワーデバイス、IGBT、Diode、RC-IGBT、CSTBT™、低損失化、導通損失、スイッチング損失、リカバリ損失、発熱、ジャンクション温度、熱抵抗、パワーモジュール、CPL、薄ウエハ化、スプリットゲート、シャローアクティブトレンチ、耐環境性能、車載、再生可能エネルギー、電鉄、直流送電、カーボンニュートラル
【講演のポイント】
Siパワーデバイス開発・量産化の実務経験をもとに、損失・発熱の基礎とIGBT／Diode／RC-IGBTの最新開発事例を解説し、放熱・実装・基板材料に携わる方にもデバイス側の視点を提供する。
【習得できる知識】
・パワーデバイスの基本動作と、損失・発熱が生じるメカニズム
・Si-IGBT／Diodeの低損失化、高耐圧化、高信頼化に向けた設計の考え方
・CSTBT™、薄ウエハ化、CPL、スプリットゲート、シャローアクティブトレンチなどの最新技術動向
・再生可能エネルギー、電力・電鉄、民生・車載用途におけるSiパワーデバイスの開発事例
・RC-IGBTの基本構造、熱的メリット、チップ内Diode配置、リカバリ損失低減技術の概要
・放熱・実装・基板材料技術者が知っておきたい、デバイス側の発熱抑制・熱的課題への対応
・Siパワーデバイスの今後の技術展望