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■本セミナーの主題および状況

★SiC・GaNをはじめとする次世代パワー半導体は、xEVやAIサーバーの高効率化・高出力化を支える中核技術として注目されている。

★パワーデバイスの性能向上に伴い、高熱伝導材料や熱マネジメント技術、実装技術の重要性が高まっている。

★次世代GaNデバイスの社会実装に向けては、大口径化や異種材料接合など新たな技術開発が進展している。

■本講座の注目ポイント

★インフィニオンによる車載SiCパワー半導体、ロームによるGaNパワーデバイスなど、SiC・GaNを中心とした最新WBGパワー半導体の技術動向と応用事例を学べる！

★高熱伝導樹脂材料（TIM）の基礎から材料設計・最新開発事例まで、パワーデバイスの高効率化を支える熱マネジメント技術を詳しく解説！

★縦型GaNデバイスの社会実装を支えるQST×CFB接合技術など、次世代パワーデバイスの実装・接合技術の最新動向を理解できる！

講座担当：枩西洋佑

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫

　本講演は、インフィニオンが提供する車載SiCパワー半導体の最新ソリューションを、数値と適用事例に基づき要点を整理してご紹介します。材料からモジュール、システム統合までを一連で捉え、効率・航続・充電・小型化、さらにコストや信頼性、サステナビリティの観点で生まれる価値を描きます。終盤では、さらなる応用技術や最新プロセステクノロジーのような最新技術・動向も紹介いたします。また、冷却・EMI・ゲートドライバなどのシステム課題へのアプローチも取り上げ、評価指針や設計上の留意点にも触れて、実装に役立つ視点を提供します。

　近年、AI Serverの急速な需要の伸びにともない、エネルギー問題が大きな課題となっております。電源システムの電力変換効率の向上に加えて、GPUの消費電力の増加に伴いラックでの電力要求も急増しており従来の電源システムからより効率的に電源供給を行うシステムへの変換が進んでおります。このような市場の流れの中で、次世代WBGデバイスであるGallium Nitride: GaNは、次世代のパワーデバイスとして電源の効率向上、電源密度の向上に大きく貢献できるデバイスとして期待されております。

　本講義では、GaNデバイスの構造、性能について解説し、AI Serverで求められる電源システム例を紹介し、実アプリケーションにおけるGaNの優位性について解説を行います。

　放熱材(Thermal Interface Material, 以下TIMとする)についての概論をTIM開発者の視点で紹介する (熱伝導性フィラー選定の考え方、TIMの製造工程、TIMの熱物性評価方法)。　また、TIMの開発事例として以下の3例を紹介する。(1) 250℃高耐熱シリコーン系TIM, (2)カプセル化鉄触媒(神谷触媒)で付加反応硬化する白金フリーなシリコーン系TIM, (3) 六方晶窒化ホウ素を用いたシリコーン系低比重TIM

　カーボンニュートラル達成に向け、次世代パワー半導体は成長市場として注目されており、中でも縦型GaNパワーデバイスは高い性能ポテンシャルから期待されています。しかし、低コスト化に向けた大口径化と高性能化に必要な縦型構造の両立には課題があり、普及の大きな障壁となっています。

　本セミナーでは、これらの課題を整理し、信越化学様のQST基板とOKIのCFB技術の共創により、その両立をどのように実現するかを解説します。

※QSTは、Qromis Substrate Technologyの略。Qromis社(US)の米国登録商標。GaN成長専用の複合材料基板技術。2019年に信越化学様がライセンス取得。

※CFBは、Crystal Film Bondingの略。OKIの日本登録商標。結晶膜やデバイスを成長基板から剥離し異種材料基板へ接合する技術。