半導体の微細化・高性能化・高集積化に向けたCMP技術の概要・材料除去メカニズムおよび研磨砥粒の開発・スラリーの分散性評価技術および後洗浄の特徴
★2026年5月14日WEBでオンライン開講。株式会社荏原製作所 今井氏、国立大学法人東海国立大学機構 岐阜大学 畝田氏、日揮触媒化成株式会社 碓田氏、大塚電子株式会社 加藤氏が、【半導体の高性能化・高集積化に向けたCMP技術の概要・材料除去メカニズムおよび研磨砥粒の開発・スラリーの分散性評価技術および後洗浄の特徴】について解説する講座です。
■注目ポイント
★半導体製造におけるCMP技術や洗浄工程の特徴にはじまり、「素材・砥粒メーカーの視点からの砥粒の物性と機能の関係、取り扱い方と注意事項」や「接触画像解析法およびその場観察技術を用いたCMP加工中の接触界面におけるスラリー挙動を可視化した研究成果」、「CMPスラリーのゼータ電位を用いた分散性評価、ウェーハのゼータ電位測定法と静電相互作用の評価」について解説・紹介！
- 第1部 株式会社荏原製作所 精密・電子カンパニー 装置事業部 技術マーケティング課 今井 正芳 氏
- 第2部 国立大学法人東海国立大学機構 岐阜大学 工学部 機械工学科 機械コース / 教授 畝田 道雄 氏
- 第3部 日揮触媒化成株式会社 ファイン研究所MM第一研究グループ 碓田 真也 氏
- 第4部 大塚電子株式会社 計測分析機器開発部 アプリケーション技術グループ 加藤 丈滋 氏
【1名の場合】60,500円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況（講師より）
★CMP（Chemical Mechanical Polishing）は半導体基板や光学基板の最終平坦化工程として広く用いられてますが、スラリー中の砥粒がどのように基板へ作用して材料除去が生じるかについては十分に理解されていません。
★微細化・高性能化が進む半導体製造プロセスにおいて、平坦化プロセスであるCMPの重要性と、砥粒に対する要求は高まり続けています。
★半導体ウェーハの研磨プロセスに用いられるCMPスラリーの分散性は、ウェーハの高品質化や欠陥の抑制に欠かせません。CMPスラリーの分散性の評価法として、光散乱法を用いた粒子径およびゼータ電位測定技術の概要と評価事例を紹介します。ゼータ電位は、CMPスラリーにおける分散性に寄与するだけではなく、研磨時の研磨レートや研磨後の洗浄時にも有効なパラメータです。
■注目ポイント
★砥粒の物性と機能の関係、砥粒の取り扱い方と注意事項について素材・砥粒メーカーの視点から解説!
★接触画像解析法およびその場観察技術を用いて，CMP加工中の接触界面におけるスラリー挙動を可視化した研究成果を紹介！
★CMPスラリーのゼータ電位を用いた分散性評価に加えてウェーハのゼータ電位測定法と静電相互作用の評価について紹介！
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 半導体製造の化学機械研磨（CMP）技術の概要とCMP後洗浄の特徴
【時間】 10:30-11:45
【講師】株式会社荏原製作所 精密・電子カンパニー 装置事業部 技術マーケティング課 今井 正芳 氏
【講演主旨】
【プログラム】
※現在、最新のご講演プログラムを講師の先生にご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたします。
1.はじめに・・・2030年に向けたSEMI・CMP市場
2.半導体製造におけるCMP工程の概説
2-1. CMP(Chemical Mechanical Polishing/Planarization)とは
2-2. CMPポリッシャ部の基本構成
(1) 原理
(2) 研磨ヘッドの種類と歴史
(3)エンドポイントセンサの種類、機能、用途、特徴
(4) 装置構成（研磨部、洗浄部、搬送部）
3.半導体業界の洗浄工程について
3-1. 工程数（Logic, NAND, DRAM)
4.一般洗浄とCMP後の洗浄
5.Cu洗浄と腐食
6.今後のCMP後洗浄
【質疑応答】
【第2講】 CMPの材料除去メカニズム ―スラリー流れ場の可視化と接触界面観察―
【時間】 12:45-14:00
【講師】国立大学法人東海国立大学機構 岐阜大学 工学部 機械工学科 機械コース / 教授 畝田 道雄 氏
【講演主旨】
CMP（Chemical Mechanical Polishing）は半導体基板や光学基板の最終平坦化工程として広く用いられているが，スラリー中の砥粒がどのように基板へ作用して材料除去が生じるかについては十分に理解されていない．本講演では，接触画像解析法およびその場観察技術を用いて，CMP加工中の接触界面におけるスラリー挙動を可視化した研究成果を紹介する．さらに，接触界面観察および画像解析から得られた結果をもとに，スラリーとパッドの接触状態と材料除去との関係について考察し，CMPにおける材料除去メカニズムについて解説する．
【プログラム】
1．CMP（Chemical Mechanical Polishing）の基礎
1.1 CMPプロセスの概要
1.2 材料除去機構に関する従来の考え方
1.3 CMPプロセスにおける未解明課題
2．CMPにおける接触界面現象
2.1 パッド・基板・スラリーの接触状態
2.2 スラリー流れ場と材料除去挙動
3．接触界面観察技術
3.1 接触画像解析法の原理
3.2 その場観察装置の構成
3.3 CMP界面観察のための実験手法
4．CMP加工中の接触界面挙動の可視化
4.1 接触界面観察結果
4.2 スラリー流動の観察結果
4.3 接触面積率の評価
5．スラリー挙動と材料除去の関係
5.1 接触面積率と除去レートの関係
5.2 パッド特性と加工特性
5.3 CMPにおける材料除去メカニズムの考察
6．まとめと今後の展望
【質疑応答】
【キーワード】
・CMP（Chemical Mechanical Polishing）
・CMPプロセス
・スラリー流れ場
・接触界面観察
・接触画像解析
・エバネッセント場観察
・接触面積率
・材料除去メカニズム
・精密研磨
【講演のポイント】
CMP中の接触界面をその場観察し，接触画像解析によりスラリーとパッドの接触状態を可視化した研究成果を紹介する．接触面積率やスラリー挙動の解析結果をもとに，CMPにおける材料除去メカニズムを実験的に示すとともに，加工現象の理解に有用な評価手法について解説する点が特徴である．
【習得できる知識】
・CMP（Chemical Mechanical Polishing）の基礎原理と材料除去機構
・CMP中におけるパッド・基板・スラリーの接触界面現象
・接触画像解析による接触界面観察および評価手法
・CMPにおけるスラリー挙動と加工現象との関係
・接触面積率と材料除去レートとの関係
・CMPプロセス理解のための評価指標と解析の考え方
【第3講】 シリカ系粒子の特徴と半導体研磨への応用技術
【時間】 14:10-15:25
【講師】日揮触媒化成株式会社 ファイン研究所MM第一研究グループ 碓田 真也 氏
【講演主旨】
微細化・高性能化が進む半導体製造プロセスにおいて、平坦化プロセスであるCMPの重要性と、砥粒に対する要求は高まり続けている。本講座では砥粒の物性と機能の関係、砥粒の取り扱い方と注意事項について、素材・砥粒メーカーの視点から解説する。
【プログラム】
1. 半導体CMPの概略
2. 砥粒に対する要求性能と課題
3. シリカ砥粒の物性と機能の関係
4. シリカ砥粒のハンドリングにおける課題と注意事項
5. まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
半導体CMP、砥粒、コロイダルシリカ、研磨速度、欠陥
【第4講】 CMPスラリーの分散性評価とウェーハとの静電相互作用
【時間】 15:35-16:50
【講師】大塚電子株式会社 計測分析機器開発部 アプリケーション技術グループ 加藤 丈滋 氏
【講演主旨】
半導体ウェーハの研磨プロセスに用いられるCMPスラリーの分散性は、ウェーハの高品質化や欠陥の抑制に欠かせません。CMPスラリーの分散性の評価法として、光散乱法を用いた粒子径およびゼータ電位測定技術の概要と評価事例を紹介します。ゼータ電位は、CMPスラリーにおける分散性に寄与するだけではなく、研磨時の研磨レートや研磨後の洗浄時にも有効なパラメータです。本講座では、CMPスラリーのゼータ電位を用いた分散性評価に加えて、ウェーハのゼータ電位測定法と静電相互作用の評価について紹介します。
【プログラム】
1. CMPスラリーの分散性およびウェーハのゼータ電位測定法
1.1 スラリーの分散と凝集
1.2 粒子径測定～動的光散乱法の基礎～
1.3 ゼータ電位測定～電気泳動光散乱法の基礎～
1.4 ウェーハのゼータ電位測定法
1.5 光散乱装置の概要
2. CMPスラリーの評価事例
2.1 CMPスラリーの分散性評価(塩濃度、添加剤、砥粒、pH)
2.2 静電相互作用の評価(研磨パッド、ウェーハ)
3. まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
CMPスラリー、ナノ粒子、分散、凝集、光散乱、ゼータ電位、DLVO理論、静電相互作用
【講演のポイント】
CMPスラリー分散条件の検討に有効な、光散乱法を用いた粒子径、ゼータ電位の測定法の基礎とその評価事例を紹介し、本評価技術を用いて、より高品質なスラリーの開発やスラリーの品質管理にお役立ていただきたいです。
【習得できる知識】
・動的光散乱法/電気泳動光散乱法の基礎理論
・ウェーハのゼータ電位測定法
・スラリーの分散凝集の評価法
・ウェーハの静電相互作用の評価法